IR2101 là IC điều khiển MOSFET và IGBT với mức độc lập cao. Đầu vào logic tương thích với đầu ra CMOS hoặc LSTTL tiêu chuẩn. Các trình điều khiển đầu ra có giai đoạn bộ đệm xung cao được thiết kế cho trình điều khiển chéo tối thiểu. Các kênh nổi có thể được sử dụng để điều khiển MOSFET công suất kênh N hoặc IGBT công suất với điện áp hoạt động lên đến 600V
Thông Số kỹ Thuật:
Điện áp max: 600v
Điện áp điều khiển: 10V-20V
Điện áp logic kích hoạt: 5V
Dải nhiệt độ hoạt động: -40°C - 125°C
Thời gian ON: t= 130ns
Thời gian OFF: t= 90ns
Trễ: 30ns
Kiểu chân: cắm, dán.
Dùng để thiết kế mạch cầu H
Giá sản phẩm trên Tiki đã bao gồm thuế theo luật hiện hành. Bên cạnh đó, tuỳ vào loại sản phẩm, hình thức và địa chỉ giao hàng mà có thể phát sinh thêm chi phí khác như phí vận chuyển, phụ phí hàng cồng kềnh, thuế nhập khẩu (đối với đơn hàng giao từ nước ngoài có giá trị trên 1 triệu đồng).....