Thông số kỹ thuật:

Điện áp đánh thủng: 600V.
Điện áp VGS = +/-30V
Dòng chịu đựng trung bình: 11A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 156W

Mosfet 11N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-220.

Mosfet 11N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 11N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
LH: 01668213466